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存储海外龙头跟踪:三星DRAM超预期出货,库存水位峰值已过

2023-07-28 17:28:11      来源:研报中心

事件:北京时间2023年7月27日9:00,三星电子发布FY2023Q2(对应自然年2023年4月-6月)财报,公司认为目前存储库存已于5月见顶,ASP下降中高个位数,价格下跌趋缓,同时AI推动DDR5、HBM等高端产品需求提升,为公司带来盈利空间。

核心要点


(相关资料图)

AI拉动DDR5、HBM等产品需求驱使三星DRAM出货量超预期,三星NAND价格趋稳。公司Q2营收60.01万亿韩元(QoQ-6%/YoY-22%),同环比均有下跌。营业利润6700亿韩元(QoQ+5%),净利润1.72万亿韩元(QoQ+10%),环比上升明显。DS部门收入14.73万亿韩元(QoQ+7%/YoY-48%),而内存芯片收入8.97万亿韩元(QoQ+1%/YoY-57%)。公司在Q2满足了HBM和DDR5等以AI为中心的产品的强劲需求,DRAM出货量高于预期,同时扩大了NAND先进节点份额,令NAND的ASP下降趋缓,最终公司实现盈利的连续增长。

客户端去库存进度如预期进行,三星库存已于5月见顶,并预计全年将保持减产节奏。分终端来看,PC、mobile等客户去库存进度取得实质性进展;服务器方面,客户的库存调整的相对较晚,但亦将在下半年逐渐恢复正常。此外,三星的DRAM、NAND库存水位已在5月份见顶;供给方面,三星维持自Q1减产以来的收紧态势,同时也计划2023下半年依然保持下调产量的节奏,从而进一步加快库存的正常化。为提升高密度/高附加值的产品份额,公司正在对DRAM、NAND的某些产品进行额外结构性调整。

加紧HBM开拓,长远布局先进存储赛道。对于HBM3,三星目前正接受行业顶级性能和容量的客户的资格认证,并已向关键的AISOC公司和云公司出货8层16GB和12层24GB的产品;对于HBM3P,三星计划在23下半年推出24GB容量的产品;在供应上,三星计划2024年将HBM的产能至少提高一倍;同时,三星对先进存储亦进行长远布局,如解决数据中心AI所需的高密度产品(32GbDDR5)、存内计算技术(CXL-PNM方案)、为终端AI设计的产品(LLM)等。

投资建议

NAND价格下跌趋缓,库存已过最高点:三星FY23Q2价格:DRAM下降了中高个位数,而NAND受益于扩大先进节点来增强成本竞争力,在Q2下降中高个位数,价格逐渐趋于稳定;三星库存已在5月达峰,同时将全年贯彻减产策略来加快库存的正常化。我们认为,随着下半年下游需求的复苏,消费电子传统旺季的到来,服务器行业去库存的执行,存储供需状况有望进一步回归良性区间。

AI带动DDR5和HBM需求增长,配套产业链加速升级:受益于AI服务器的销量增长,算力驱动存力逻辑逐步实现,我们认为在DDR5及HBM3的带动下,存储产业链有望逐步走出周期底部,高密度/高附加值产品将打开更多市场空间,相关产业链有望深度受益。

推荐:1)兆易创新:NORflash国内市占率第一全球第三,DRAM打开成长空间;建议关注:1)华海诚科:哈勃持股+GMC材料可用于HBM;2)联瑞新材:量产配套供应HBM所用球硅和Lowα球铝。3)朗科科技:韶关国资委控股,深度受益数据中心招投标。

风险提示

下游需求复苏不及预期、产能削减效果不及预期、HBM产能紧张、DDR5渗透率不及预期、国产替代进程不及预期。

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