存储海外龙头跟踪：三星DRAM超预期出货，库存水位峰值已过

事件：北京时间2023年7月27日9：00，三星电子发布FY2023Q2（对应自然年2023年4月-6月）财报，公司认为目前存储库存已于5月见顶，ASP下降中高个位数，价格下跌趋缓，同时AI推动DDR5、HBM等高端产品需求提升，为公司带来盈利空间。

核心要点

(相关资料图)

AI拉动DDR5、HBM等产品需求驱使三星DRAM出货量超预期，三星NAND价格趋稳。公司Q2营收60.01万亿韩元（QoQ-6%/YoY-22%），同环比均有下跌。营业利润6700亿韩元（QoQ+5%），净利润1.72万亿韩元(QoQ+10%)，环比上升明显。DS部门收入14.73万亿韩元（QoQ+7%/YoY-48%），而内存芯片收入8.97万亿韩元（QoQ+1%/YoY-57%）。公司在Q2满足了HBM和DDR5等以AI为中心的产品的强劲需求，DRAM出货量高于预期，同时扩大了NAND先进节点份额，令NAND的ASP下降趋缓，最终公司实现盈利的连续增长。

客户端去库存进度如预期进行，三星库存已于5月见顶，并预计全年将保持减产节奏。分终端来看，PC、mobile等客户去库存进度取得实质性进展；服务器方面，客户的库存调整的相对较晚，但亦将在下半年逐渐恢复正常。此外，三星的DRAM、NAND库存水位已在5月份见顶；供给方面，三星维持自Q1减产以来的收紧态势，同时也计划2023下半年依然保持下调产量的节奏，从而进一步加快库存的正常化。为提升高密度/高附加值的产品份额，公司正在对DRAM、NAND的某些产品进行额外结构性调整。

加紧HBM开拓，长远布局先进存储赛道。对于HBM3，三星目前正接受行业顶级性能和容量的客户的资格认证，并已向关键的AISOC公司和云公司出货8层16GB和12层24GB的产品；对于HBM3P，三星计划在23下半年推出24GB容量的产品；在供应上，三星计划2024年将HBM的产能至少提高一倍；同时，三星对先进存储亦进行长远布局，如解决数据中心AI所需的高密度产品（32GbDDR5）、存内计算技术（CXL-PNM方案）、为终端AI设计的产品（LLM）等。

投资建议

NAND价格下跌趋缓，库存已过最高点：三星FY23Q2价格：DRAM下降了中高个位数，而NAND受益于扩大先进节点来增强成本竞争力，在Q2下降中高个位数，价格逐渐趋于稳定；三星库存已在5月达峰，同时将全年贯彻减产策略来加快库存的正常化。我们认为，随着下半年下游需求的复苏，消费电子传统旺季的到来，服务器行业去库存的执行，存储供需状况有望进一步回归良性区间。

AI带动DDR5和HBM需求增长，配套产业链加速升级：受益于AI服务器的销量增长，算力驱动存力逻辑逐步实现，我们认为在DDR5及HBM3的带动下，存储产业链有望逐步走出周期底部，高密度/高附加值产品将打开更多市场空间，相关产业链有望深度受益。

推荐：1）兆易创新：NORflash国内市占率第一全球第三，DRAM打开成长空间；建议关注：1）华海诚科：哈勃持股+GMC材料可用于HBM；2）联瑞新材：量产配套供应HBM所用球硅和Lowα球铝。3）朗科科技：韶关国资委控股，深度受益数据中心招投标。

风险提示

下游需求复苏不及预期、产能削减效果不及预期、HBM产能紧张、DDR5渗透率不及预期、国产替代进程不及预期。

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