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存储市场通常3-4年一个波动周期，根据历史规律，当前或处于周期底部。全球存储芯片市场空间大，为集成电路第二大细分市场。根据WSTS数据，全球集成电路细分市场周期具有相似的波动性，而其中存储芯片市场的弹性更大，本轮周期的市场规模增速顶部出现在2021年，2022年开始出现规模下滑，从历史经验来看，当前或处于周期底部位置。通过复盘此前三轮周期的影响因素，我们提炼出存储周期的研究框架，同时从两个重要指标来判断周期位置：1）从全球存储龙头2023年的资本开支计划来看，除三星外，其他几大家均宣布下调2023年资本开支计划，且下降幅度较大。2）从库存看，各大存储厂商存货增速都已见顶，逐渐恢复至正常水位。我们预计2023年下半年市场供求关系将恢复正常，行业即将迎来复苏。
需求端：AI大时代带来存储芯片新需求。AI服务器对DRAM和NAND均有更高的需求，AI有望成为存储需求长期增长的强劲驱动力。由OpenAI发布的ChatGPT开启了AI大浪潮时代，各大厂商相继开发并推出大模型产品，大模型中大量的数据集传输和储存对存力提出了更高的要求。在AI服务器中应用的存储芯片主要包括：高带宽存储器（HBM）、DRAM和SSD，针对AI服务器的工作场景需要提供更大的容量、更高的性能、更低的延迟和更高的响应速度。根据美光测算，AI服务器中DRAM数量是传统服务器的8倍，NAND是传统的3倍。
供给端：龙头厂商开启实质性减产，下半年有望出现供需反转。从2022Q1开启的本轮存储周期下行区间，市场价格出现显著下滑，主要存储厂商业绩均出现显著下滑甚至大幅亏损。由于存储市场竞争格局集中，龙头厂商调整产能对市场供给情况改善效果显著，因此为避免市场价格保持下跌，存储大厂会选择通过降低产能利用率的方式缓解供求情况。通过梳理各大存储厂商最新产能规划方案可以发现，各大原厂已经开启实质性减产，我们预计2023年下半年供需情况或将趋于平衡，伴随需求提振有望出现反转。
价格端：跌幅逐渐收窄，23H2或见价格拐点。根据TrendForce数据，2023Q1DRAM价格跌幅近20%，NAND价格跌幅为10%~15%。站在当前时点，各大原厂持续进行减产，供需关系逐渐好转，预计Q2价格跌幅将有所收窄，DRAM价格收窄至10%~15%，NAND价格收窄至5~10%。我们预计，2023H2或见存储价格的拐点，AI新需求有望推动存储周期复苏。
投资建议：存储周期底部逐渐明朗+AI需求催化，我们看好存储周期回暖下细分领域具备竞争实力的公司，建议关注兆易创新（NOR/SCLNAND/DRAM）、北京君正（车载SRAM/DRAM）、东芯股份（SCLNANDR/DRAM）、普冉股份（NOR/EEPROM）、恒烁股份（NOR）。
风险因素：历史规律失效风险；AI产业发展速度不及预期；下游需求不及预期。
