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东微半导(688261)
事件：公司发布2022年第三季度报告，前三季度公司营收7.90亿元，同比+41.29%；归母净利润2.00亿元，同比+115.62%；扣非归母净利润1.90亿元，同比增长114.49%；22Q3单季度实现营收3.24亿元，同比+35.85%，环比+24.26%；归母净利润0.83亿元，同比+103.24%，环比+20.59%；扣非归母净利润0.80亿元，同比增长95.87%，环比增长25.85%。
三季度业绩符合预期，毛利率环比稳步提升。受益于下游需求旺盛，公司22Q3收入和净利润环比继续保持高速增长；22Q3毛利率毛利率34.08%，同比增长2.94%，环比增长0.19%，继续稳步提升，主要得益于下游结构和产品结构的持续优化；22Q3净利率25.71%，同比增长8.53%，环比下滑0.78%，净利率环比小幅下滑是正常范围内的波动。
产品结构和下游结构不断完善，未来持续高成长可期。公司22H1高压超级结MOSFET收入占比78.05%，中低压屏蔽栅MOSFET占比18.13%，TGBT占比3.67%；22Q3预计超级结MOSFET占比提升到80%以上，中低压屏蔽栅MOSFET占比下降到15%左右，TGBT占比继续提升。公司22H1汽车及工业应用收入占营收比重超过70%，预计22Q3汽车和工业占比提升至75%以上，主要来自新能源汽车直流充电桩、各类工业及通信电源、光伏逆变器、储能、车载充电机等景气度较高的领域，未来在电动车和新能源市场旺盛需求下，有望持续高成长。
国内高压超级结MOSFET领导者，有望持续提升市场份额。根据Omdia的数据，2020年度全球高压超级结MOSFET市场规模为9.4亿美元，公司占全球高压超级结市场的份额为3.8%，占中国高压超级结市场的份额约为8.6%，排在国内厂商中第一位。公司高压超级结MOSFET产品基于深沟槽工艺技术，采用优化电荷平衡技术、优化栅极设计及独创的缓变电容核心原胞结构，形成了低导通电阻、低栅极电荷、低静态与动态损耗等优势，处于国内领先、国际先进水平。目前全球高压超级结MOSFET市场主要被英飞凌、德州仪器、安森美、意法半导体等国外厂商占据，公司有望凭借较强的竞争优势不断提升市场份额。
公司IGBT产品竞争优势突出，已进入高速成长期。公司IGBT（TGBT）产品采用创新型三栅架构，在功率密度、器件损耗等性能指标和成本上具有强大的竞争优势，主要覆盖光伏逆变器、储能、车载充电机、充电桩、UPS等领域。公司TGBT业务22H1收入1700万，同比增长70多倍，目前TGBT订单充足，产品供不应求，已进入快速成长期，预计未来几年将继续放量，成为公司高成长的重要驱动力。
公司积极布局碳化硅，客户验证进展顺利。公司积极布局SiC材料的功率器件，并采用新技术路线开发产品，已申请多项相关专利，目前已在积极推广及客户认证阶段，市场拓展顺利。凭借优秀的技术创新能力，有望把握第三代半导体的发展趋势，为公司带来新的收入增长点。
与华虹长期深度合作，公司产能供给稳步增长。公司与华虹保持长期深度合作的关系，近年来在华虹的产能持续增加，此外与粤芯半导体和DB Hitek保持稳定合作关系，未来公司希望通过优秀的产品和技术提升产能价值，实现与晶圆厂保持更深度的合作，预计公司未来产能供给稳步增长有足够的保障，以支撑业务的快速增长。
盈利预测与投资建议。公司拥有优秀的功率器件和工艺创新能力，是国内高压超级结MOSFET领导者，公司高压超级结MOSFET和TGBT产品均具有较强的竞争优势，下游聚焦汽车和工业高景气市场，产品结构和下游结构不断完善，我们预计公司22-24年营收为11.50/16.08/21.60亿元，22-24年归母净利润为2.76/3.81/5.05亿元，对应的EPS为4.09/5.65/7.50元，对应PE为58.98/42.69/32.15倍。考虑公司的技术创新能力、稀缺性以及未来几年的成长性，首次覆盖给予“买入”投资评级。
风险提示：行业竞争加剧风险；下游需求波动风险；产品品类集中风险；新产品研发进展不及预期风险。
