(相关资料图)
在汽车高压化、器件高度集成化的趋势下，SiC MOSFET在新能源车的渗透度持续提高，与此同时，中国作为新能源车最大的市场，加上国家政策推动第三代半导体发展，为SiC MOSFET发展带来显著的动能
国内衬底与外延厂商产能扩充进展顺利，为国产替代发展提供关键支撑；中游器件主要IDM厂商与Fabless厂商皆取得不错进展，且“上车”进度顺利
经过梳理分析后，头豹洞察出三大行业趋势：1.8英寸SiC衬底逐步落地，但规模商业化仍需时间；2.IDM是SiCMOSFET行业主流模式；3.短期平面技术是关键切入点，未来竞争的关键在于沟槽技术水平
